BF199_J35Z數據表
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ON Semiconductor
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 25V 頻率-過渡 1.1GHz 噪聲系數（dB Typ @ f） - 增益 - 功率-最大 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 38 @ 7mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值） 50mA 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 25V 頻率-過渡 1.1GHz 噪聲系數（dB Typ @ f） - 增益 - 功率-最大 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 38 @ 7mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值） 50mA 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 25V 頻率-過渡 1.1GHz 噪聲系數（dB Typ @ f） - 增益 - 功率-最大 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 38 @ 7mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值） 50mA 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
