BFG35數據表
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制造商 NXP USA Inc. 系列 - 晶體管類型 NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 18V 頻率-過渡 4GHz 噪聲系數（dB Typ @ f） - 增益 - 功率-最大 1W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 25 @ 100mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值） 150mA 工作溫度 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-261-4, TO-261AA 供應商設備包裝 SOT-223 |
