BFL4036-1E數據表






制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 500V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 9.6A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 520mOhm @ 7A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID - 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 38.4nC @ 10V Vgs(最大) ±30V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1000pF @ 30V FET功能 - 功耗(最大值) 2W (Ta), 37W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220F-3FS 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 500V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 9.6A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 520mOhm @ 7A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 5V @ 1mA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 38.4nC @ 10V Vgs(最大) ±30V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1000pF @ 30V FET功能 - 功耗(最大值) 2W (Ta), 37W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220FI(LS) 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack |