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NXP
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BLT70,115

NXP

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

8V

頻率-過渡

900MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

2.1W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 100mA, 4.8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

250mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-261-4, TO-261AA

供應商設備包裝

SOT-223