BSC027N10NS5ATMA1數據表
|
制造商 Infineon Technologies 系列 OptiMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 23A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 2.7mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3.8V @ 146µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 111nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 8200pF @ 50V FET功能 - 功耗（最大值） 3W (Ta), 214W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PG-TSON-8-3 包裝/箱 8-PowerTDFN |
