BSC059N03S G數據表
|
制造商 Infineon Technologies 系列 OptiMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 17.5A (Ta), 73A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 5.5mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 35µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 21nC @ 5V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2670pF @ 15V FET功能 - 功耗（最大值） 17.5W (Ta), 48W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PG-TDSON-8-1 包裝/箱 8-PowerTDFN |
