BSM120D12P2C005數據表
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制造商 Rohm Semiconductor 系列 - FET類型 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能 Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss） 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id） 120A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs - Vgs（th）（最大）@ ID 2.7V @ 22mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 14000pF @ 10V 功率-最大 780W 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 - 包裝/箱 Module 供應商設備包裝 Module |
