BSM50GD120DN2G數據表
|
制造商 Infineon Technologies 系列 - IGBT類型 - 配置 Full Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值） 78A 功率-最大 400W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 3.7V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值） - 輸入電容（Cies）@ Vce 33nF @ 25V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 Module 供應商設備包裝 Module |
