BSO200P03SNTMA1數據表
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies 系列 OptiMOS™ FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 30V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 7.4A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 20mOhm @ 9.1A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 1.5V @ 100µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 54nC @ 10V Vgs(最大) ±25V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 2330pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 1.56W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PG-DSO-8 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |