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BSO200P03SNTMA1數據表

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Infineon Technologies
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BSO200P03SNTMA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 9.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

54nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2330pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.56W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PG-DSO-8

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)