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BSO330N02KGFUMA1數據表

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Infineon Technologies
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BSO330N02KGFUMA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

730pF @ 10V

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

PG-DSO-8