BSO350N03數據表









制造商 Infineon Technologies 系列 OptiMOS™ FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓(Vdss) 30V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 5A Rds On(Max)@ Id,Vgs 35mOhm @ 6A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 6µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 3.7nC @ 5V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 480pF @ 15V 功率-最大 1.4W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 PG-DSO-8 |