BSO615N數據表
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制造商 Infineon Technologies 系列 SIPMOS® FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 2.6A Rds On（Max）@ Id，Vgs 150mOhm @ 2.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 20nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 380pF @ 25V 功率-最大 2W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 PG-DSO-8 |
