BSP296L6433HTMA1數據表
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制造商 Infineon Technologies 系列 SIPMOS® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 1.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 700mOhm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 1.8V @ 400µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 17.2nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 364pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 1.79W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PG-SOT223-4 包裝/箱 TO-261-4, TO-261AA |
制造商 Infineon Technologies 系列 SIPMOS® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 1.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 700mOhm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 1.8V @ 400µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 17.2nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 364pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 1.79W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PG-SOT223-4 包裝/箱 TO-261-4, TO-261AA |
制造商 Infineon Technologies 系列 SIPMOS® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 1.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 700mOhm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 1.8V @ 400µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 17.2nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 364pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 1.79W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PG-SOT223-4 包裝/箱 TO-261-4, TO-261AA |
制造商 Infineon Technologies 系列 SIPMOS® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 1.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 700mOhm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 1.8V @ 400µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 17.2nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 364pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 1.79W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PG-SOT223-4 包裝/箱 TO-261-4, TO-261AA |
