BST16數據表
NXP 制造商 NXP USA Inc. 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極(Ic)(最大值) 200mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 300V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 750mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 30 @ 50mA, 10V 功率-最大 1.3W 頻率-過渡 15MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-243AA 供應商設備包裝 SOT-89-3 |
NXP 制造商 NXP USA Inc. 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極(Ic)(最大值) 200mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 200V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 750mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 30 @ 50mA, 10V 功率-最大 1.3W 頻率-過渡 15MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-243AA 供應商設備包裝 SOT-89-3 |