BSZ15DC02KDHXTMA1數據表
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制造商 Infineon Technologies 系列 Automotive, AEC-Q101, HEXFET® FET類型 N and P-Channel Complementary FET功能 Logic Level Gate, 2.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 5.1A, 3.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs 55mOhm @ 5.1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.4V @ 110µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 2.8nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 419pF @ 10V 功率-最大 2.5W 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-PowerTDFN 供應商設備包裝 PG-TSDSON-8-FL |
