BTS113AE3045ANTMA1數據表
BTS113AE3045ANTMA1數據表
總頁數: 10
大小: 548.79 KB
Infineon Technologies
此數據表涵蓋了2零件號:
BTS113AE3045ANTMA1, BTS113ANKSA1
|
制造商 Infineon Technologies 系列 TEMPFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 11.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 170mOhm @ 5.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 560pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 40W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 TO-220AB 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
制造商 Infineon Technologies 系列 TEMPFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 11.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 170mOhm @ 5.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 560pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 40W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 P-TO220AB 包裝/箱 TO-220-3 |
