BTS244Z E3062A數據表
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制造商 Infineon Technologies 系列 TEMPFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 13mOhm @ 19A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 130µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 130nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2660pF @ 25V FET功能 Temperature Sensing Diode 功耗（最大值） 170W (Tc) 工作溫度 -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PG-TO220-5-62 包裝/箱 TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB |
制造商 Infineon Technologies 系列 TEMPFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 13mOhm @ 19A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 130µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 130nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2660pF @ 25V FET功能 Temperature Sensing Diode 功耗（最大值） 170W (Tc) 工作溫度 -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 P-TO220-5-43 包裝/箱 TO-220-5 |
制造商 Infineon Technologies 系列 TEMPFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 13mOhm @ 19A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 130µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 130nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2660pF @ 25V FET功能 Temperature Sensing Diode 功耗（最大值） 170W (Tc) 工作溫度 -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 PG-TO220-5-3 包裝/箱 TO-220-5 Formed Leads |
