BTS247ZE3043AKSA1數據表
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies 系列 TEMPFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 55V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 33A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 18mOhm @ 12A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 90µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 90nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1730pF @ 25V FET功能 Temperature Sensing Diode 功耗(最大值) 120W (Tc) 工作溫度 -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 P-TO220-5-43 包裝/箱 TO-220-5 |
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies 系列 TEMPFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 55V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 33A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 18mOhm @ 12A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 90µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 90nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1730pF @ 25V FET功能 Temperature Sensing Diode 功耗(最大值) 120W (Tc) 工作溫度 -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 PG-TO220-5-3 包裝/箱 TO-220-5 Formed Leads |
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies 系列 TEMPFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 55V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 33A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 18mOhm @ 12A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 90µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 90nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1730pF @ 25V FET功能 Temperature Sensing Diode 功耗(最大值) 120W (Tc) 工作溫度 -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PG-TO263-5-2 包裝/箱 TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB |