BUK9E1R6-30E數據表
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制造商 NXP USA Inc. 系列 TrenchMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 1.4mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 113nC @ 5V Vgs（最大） ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 16150pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 349W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 I2PAK 包裝/箱 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
