BUT11TU數據表
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 5A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 400V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 1.5V @ 600mA, 3A 當前-集電極截止(最大值) 1mA 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce - 功率-最大 100W 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 5A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 400V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 1.5V @ 600mA, 3A 當前-集電極截止(最大值) 1mA 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce - 功率-最大 100W 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 5A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 450V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 1.5V @ 500mA, 2.5A 當前-集電極截止(最大值) 1mA 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce - 功率-最大 100W 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 5A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 450V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 1.5V @ 500mA, 2.5A 當前-集電極截止(最大值) 1mA 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce - 功率-最大 100W 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |