BUT12TU數據表
BUT12TU數據表
總頁數: 3
大小: 29.57 KB
ON Semiconductor
|
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 400V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1.5V @ 1.2A, 6A 當前-集電極截止（最大值） 1mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce - 功率-最大 100W 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 450V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1.5V @ 1.2A, 6A 當前-集電極截止（最大值） 1mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce - 功率-最大 100W 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 450V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1.5V @ 1.2A, 6A 當前-集電極截止（最大值） 1mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce - 功率-最大 100W 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
