BUZ32 H數據表
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies 系列 SIPMOS® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 200V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 9.5A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 400mOhm @ 6A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 4V @ 1mA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs - Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 530pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 75W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 PG-TO220-3 包裝/箱 TO-220-3 |