CTLDM7003-M621 TR數據表
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Central Semiconductor Corp
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CTLDM7003-M621 TR, CTLDM7003-M621 BK
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制造商 Central Semiconductor Corp 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 280mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.8V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 0.764nC @ 4.5V Vgs（最大） 12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 50pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 900mW (Ta) 工作溫度 -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 TLM621 包裝/箱 6-PowerVFDFN |
制造商 Central Semiconductor Corp 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 280mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.8V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 0.764nC @ 4.5V Vgs（最大） 12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 50pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 900mW (Ta) 工作溫度 -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 TLM621 包裝/箱 6-PowerVFDFN |
