DDTA124GE-7-F數據表
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated 系列 - 晶體管類型 PNP - Pre-Biased 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) - 電阻-發射極基(R2) 22 kOhms 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 56 @ 5mA, 5V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止(最大值) 500nA (ICBO) 頻率-過渡 250MHz 功率-最大 150mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-523 供應商設備包裝 SOT-523 |
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated 系列 - 晶體管類型 PNP - Pre-Biased 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) - 電阻-發射極基(R2) 100 kOhms 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 82 @ 5mA, 5V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止(最大值) 500nA (ICBO) 頻率-過渡 250MHz 功率-最大 150mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-523 供應商設備包裝 SOT-523 |
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated 系列 - 晶體管類型 PNP - Pre-Biased 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) - 電阻-發射極基(R2) 10 kOhms 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 30 @ 5mA, 5V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止(最大值) 500nA (ICBO) 頻率-過渡 250MHz 功率-最大 150mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-523 供應商設備包裝 SOT-523 |
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated 系列 - 晶體管類型 PNP - Pre-Biased 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) - 電阻-發射極基(R2) 47 kOhms 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 68 @ 5mA, 5V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止(最大值) 500nA (ICBO) 頻率-過渡 250MHz 功率-最大 150mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-523 供應商設備包裝 SOT-523 |
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated 系列 - 晶體管類型 PNP - Pre-Biased 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) - 電阻-發射極基(R2) 47 kOhms 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 68 @ 5mA, 5V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止(最大值) 500nA (ICBO) 頻率-過渡 250MHz 功率-最大 150mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-523 供應商設備包裝 SOT-523 |