DF200R12KE3HOSA1數據表
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制造商 Infineon Technologies 系列 - IGBT類型 - 配置 Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值） - 功率-最大 1040W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2.15V @ 15V, 200A 當前-集電極截止（最大值） 5mA 輸入電容（Cies）@ Vce 14nF @ 25V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 -40°C ~ 125°C 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 Module 供應商設備包裝 Module |
