DMG7401SFGQ-13數據表
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 30V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 9.8A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 20V Rds On(Max)@ Id,Vgs 11mOhm @ 12A, 20V Vgs(th)(最大)@ ID 3V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 58nC @ 10V Vgs(最大) ±25V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 2987pF @ 15V FET功能 - 功耗(最大值) 940mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PowerDI3333-8 包裝/箱 8-PowerVDFN |
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 30V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 9.8A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 20V Rds On(Max)@ Id,Vgs 11mOhm @ 12A, 20V Vgs(th)(最大)@ ID 3V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 58nC @ 10V Vgs(最大) ±25V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 2987pF @ 15V FET功能 - 功耗(最大值) 940mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PowerDI3333-8 包裝/箱 8-PowerVDFN |