DMN100-7-F數據表
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 30V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 1.1A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 240mOhm @ 1A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 3V @ 1mA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 5.5nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 150pF @ 10V FET功能 - 功耗(最大值) 500mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SC-59-3 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |