DMN10H170SVTQ-13數據表
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 100V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 2.6A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 160mOhm @ 5A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 3V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 9.7nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1167pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 1.2W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 TSOT-26 包裝/箱 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 100V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 2.6A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 160mOhm @ 5A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 3V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 9.7nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1167pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 1.2W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 TSOT-26 包裝/箱 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |