DMN2005LP4K-7數據表
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制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 200mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs 1.5Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID 900mV @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 41pF @ 3V FET功能 - 功耗（最大值） 400mW (Ta) 工作溫度 -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 X2-DFN1006-3 包裝/箱 3-XFDFN |
