DMN30H4D0L-13數據表
|
制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 250mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 2.7V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 4Ohm @ 300mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 7.6nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 187.3pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 310mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SOT-23 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 250mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 2.7V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 4Ohm @ 300mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 7.6nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 187.3pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 310mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SOT-23 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
