DMN30H4D0LFDE-13數據表
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制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 550mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 2.7V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 4Ohm @ 300mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 7.6nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 187.3pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 630mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 U-DFN2020-6 (Type E) 包裝/箱 6-UDFN Exposed Pad |
制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 550mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 2.7V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 4Ohm @ 300mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 7.6nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 187.3pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 630mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 U-DFN2020-6 (Type E) 包裝/箱 6-UDFN Exposed Pad |
