DMN32D2LFB4-7數據表
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制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 300mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.8V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs 1.2Ohm @ 100mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 39pF @ 3V FET功能 - 功耗（最大值） 350mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 X2-DFN1006-3 包裝/箱 3-XFDFN |
