DMN61D8LVTQ-13數據表
DMN61D8LVTQ-13數據表
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Diodes Incorporated
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DMN61D8LVTQ-13, DMN61D8LVTQ-7
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制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 630mA Rds On（Max）@ Id，Vgs 1.8Ohm @ 150mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 0.74nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 12.9pF @ 12V 功率-最大 820mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝 TSOT-26 |
制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 630mA Rds On（Max）@ Id，Vgs 1.8Ohm @ 150mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 0.74nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 12.9pF @ 12V 功率-最大 820mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝 TSOT-26 |
