DMN62D1LFD-13數據表
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制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 400mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.8V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs 2Ohm @ 100mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 0.55nC @ 4.5V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 36pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 500mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 X1-DFN1212-3 包裝/箱 3-UDFN |
制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 400mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.8V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs 2Ohm @ 100mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 0.55nC @ 4.5V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 36pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 500mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 X1-DFN1212-3 包裝/箱 3-UDFN |
