DMNH6012LK3Q-13數據表
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制造商 Diodes Incorporated 系列 Automotive, AEC-Q101 FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 12mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 35.2nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1926pF @ 30V FET功能 - 功耗（最大值） 2W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 TO-252-4L 包裝/箱 TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
