DMP2170U-7數據表
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated 系列 Automotive, AEC-Q101 FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 3.1A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 90mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 1.25V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 7.8nC @ 10V Vgs(最大) ±12V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 303pF @ 10V FET功能 - 功耗(最大值) 780mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SOT-23 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated 系列 Automotive, AEC-Q101 FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 3.1A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 90mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 1.25V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 7.8nC @ 10V Vgs(最大) ±12V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 303pF @ 10V FET功能 - 功耗(最大值) 780mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SOT-23 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |