DMP4025SFG-7數據表
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 40V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 4.65A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 25mOhm @ 3A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 1.8V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 14nC @ 4.5V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1643pF @ 20V FET功能 - 功耗(最大值) 810mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PowerDI3333-8 包裝/箱 8-PowerVDFN |
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated 系列 Automotive, AEC-Q101 FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 40V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 7.2A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 25mOhm @ 3A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 1.8V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 33.7nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1643pF @ 20V FET功能 - 功耗(最大值) 810mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PowerDI3333-8 包裝/箱 8-PowerVDFN |
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated 系列 Automotive, AEC-Q101 FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 40V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 7.2A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 25mOhm @ 3A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 1.8V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 33.7nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1643pF @ 20V FET功能 - 功耗(最大值) 810mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PowerDI3333-8 包裝/箱 8-PowerVDFN |
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 40V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 4.65A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 25mOhm @ 3A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 1.8V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 33.7nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1643pF @ 20V FET功能 - 功耗(最大值) 810mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PowerDI3333-8 包裝/箱 8-PowerVDFN |