DMP45H4D9HJ3數據表
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制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 450V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 4.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 4.9Ohm @ 1.05A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 13.7nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 547pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 104W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-251 包裝/箱 TO-251-3, IPak, Short Leads |
