DMT10H010SPS-13數據表
|
制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 10.7A (Ta), 113A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 8.8mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 56.4nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 4.468nF @ 50V FET功能 - 功耗（最大值） 1.2W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PowerDI5060-8 包裝/箱 8-PowerTDFN |
