DMT2004UFDF-13數據表
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制造商 Diodes Incorporated 系列 Automotive, AEC-Q101 FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 24V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 14.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 6mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 1.45V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 53.7nC @ 10V Vgs（最大） ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1683pF @ 15V FET功能 - 功耗（最大值） 800mW (Ta), 12.5W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 U-DFN2020-6 (Type F) 包裝/箱 6-UDFN Exposed Pad |
制造商 Diodes Incorporated 系列 Automotive, AEC-Q101 FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 24V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 14.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 6mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 1.45V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 53.7nC @ 10V Vgs（最大） ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1683pF @ 15V FET功能 - 功耗（最大值） 800mW (Ta), 12.5W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 U-DFN2020-6 (Type F) 包裝/箱 6-UDFN Exposed Pad |
