DTA023EEBTL數據表
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制造商 Rohm Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2） 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 20 @ 20mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） - 頻率-過渡 250MHz 功率-最大 150mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-89, SOT-490 供應商設備包裝 EMT3F (SOT-416FL) |
制造商 Rohm Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2） 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 20 @ 20mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） - 頻率-過渡 250MHz 功率-最大 200mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-85 供應商設備包裝 UMT3F |
制造商 Rohm Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2） 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 20 @ 20mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） - 頻率-過渡 250MHz 功率-最大 150mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-723 供應商設備包裝 VMT3 |
