DTB743EMT2L數據表
Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP - Pre-Biased 當前-集電極(Ic)(最大值) 200mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 30V 電阻-基本(R1) 4.7 kOhms 電阻-發射極基(R2) 4.7 kOhms 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 115 @ 100mA, 2V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止(最大值) 500nA 頻率-過渡 260MHz 功率-最大 150mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-723 供應商設備包裝 VMT3 |
Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP - Pre-Biased 當前-集電極(Ic)(最大值) 200mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 30V 電阻-基本(R1) 4.7 kOhms 電阻-發射極基(R2) 4.7 kOhms 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 115 @ 100mA, 2V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止(最大值) 500nA 頻率-過渡 260MHz 功率-最大 150mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-75, SOT-416 供應商設備包裝 EMT3 |