DTD114GCT116數據表
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制造商 Rohm Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） - 電阻-發射極基（R2） 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 56 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA (ICBO) 頻率-過渡 200MHz 功率-最大 200mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝 SST3 |
