DTD123TSTP數據表
|
制造商 Rohm Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 40V 電阻-基本（R1） 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 100 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA (ICBO) 頻率-過渡 200MHz 功率-最大 300mW 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 SC-72 Formed Leads 供應商設備包裝 SPT |
