EC3H02BA-TL-H數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 10V 頻率-過渡 7GHz 噪聲系數（dB Typ @ f） 1dB @ 1GHz 增益 8.5dB 功率-最大 100mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 120 @ 20mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值） 70mA 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 3-XFDFN 供應商設備包裝 3-ECSP1006 |
