EC4H09C-TL-H數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 3.5V 頻率-過渡 26GHz 噪聲系數（dB Typ @ f） 1.3dB @ 2GHz 增益 15dB 功率-最大 120mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 70 @ 5mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值） 40mA 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 4-UFDFN 供應商設備包裝 4-ECSP1008 |
