ECH8419-TL-H數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 35V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 17mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.6V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 19nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 960pF @ 20V FET功能 - 功耗（最大值） 1.5W (Ta) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-ECH 包裝/箱 8-SMD, Flat Lead |
