ECH8601M-TL-H-P數據表
ECH8601M-TL-H-P數據表
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ON Semiconductor
此數據表涵蓋了2零件號:
ECH8601M-TL-H-P, ECH8601M-TL-H
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能 Logic Level Gate, 2.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss） 24V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 8A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs 23mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 7.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 功率-最大 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝 8-ECH |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能 Logic Level Gate, 2.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss） 24V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 8A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs 23mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 7.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 功率-最大 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝 8-ECH |
