EDF8164A3PK-JD-F-R數據表
|
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小 8Gb (128M x 64) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 933MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.14V ~ 1.95V 工作溫度 -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 216-WFBGA 供應商設備包裝 216-FBGA (12x12) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小 8Gb (128M x 64) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 933MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.14V ~ 1.95V 工作溫度 -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 216-WFBGA 供應商設備包裝 216-FBGA (12x12) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小 8Gb (128M x 64) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 800MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.14V ~ 1.95V 工作溫度 -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 216-WFBGA 供應商設備包裝 216-FBGA (12x12) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小 8Gb (128M x 64) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 933MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.14V ~ 1.95V 工作溫度 -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 216-WFBGA 供應商設備包裝 216-FBGA (12x12) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPDDR3 內存大小 8Gb (128M x 64) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 800MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.14V ~ 1.95V 工作溫度 -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 216-WFBGA 供應商設備包裝 216-FBGA (12x12) |
