EM6M1T2R數據表
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制造商 Rohm Semiconductor 系列 - FET類型 N and P-Channel FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 30V, 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 100mA, 200mA Rds On（Max）@ Id，Vgs 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 0.9nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 13pF @ 5V 功率-最大 150mW 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝 EMT6 |
